三星公布1000層V-NAND技術 比16G還小 世界看熱訊

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據(jù)了解，三星存儲業(yè)務的高級管理人員最近在一個電子工程師協(xié)會的夏季會議上宣布，到2030年，V-NAND能夠疊加到1000多層。三星預測，V-NAND的競爭將持續(xù)到1000層以上。三星從2013年開始推出24層的V-NAND，十年來已經(jīng)發(fā)展到200多層。 值得一提的是，三星最初推出的V-NAND每個die的容量有128Gb（16GB），通過3D堆疊技術可以實現(xiàn)最多24層die堆疊，也就是說，24層堆疊的總容量將達到384GB。 三星的高管表示，正因為有V-NAND的存在，才使得NAND的歷史能夠得以延續(xù)，這是韓國國家創(chuàng)造技術和生態(tài)系統(tǒng)的成功事例之一。他們還認為，要推動1000層的NAND技術，就像建設摩天大樓一樣，需要考慮坍塌、彎曲、斷裂等多方面的穩(wěn)定性問題，同時還需要克服連接孔加工工藝、最小化電池干擾、縮短層高以及擴大每層存儲容量等挑戰(zhàn)。

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