16Gb顆粒 三星量產(chǎn)12納米DDR5！|每日觀察

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三星表示，它已經(jīng)通過啟動(dòng)12納米工藝的16Gb DDR5 DRAM的大規(guī)模生產(chǎn)重申了其在DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。這家韓國電子巨頭聲稱，與上一代產(chǎn)品相比，這種新工藝生產(chǎn)的內(nèi)存IC可降低約四分之一的功耗，并將提高五分之一的晶圓生產(chǎn)力。此外，這些領(lǐng)先的內(nèi)存芯片將擁有7.2Gbps的最大引腳速度。

三星表示，12納米級(jí)DRAM的開發(fā)是通過 "使用一種新的高K材料 "實(shí)現(xiàn)的。在進(jìn)一步的細(xì)節(jié)中，它解釋說，這些集成電路中使用的晶體管柵極材料具有更高的電容，使其狀態(tài)更容易被準(zhǔn)確區(qū)分。此外，三星在降低工作電壓和減少噪音方面的努力也有助于提供這種優(yōu)化的解決方案。

這些仍然是16Gb的IC，所以三星并沒有通過這些DRAM芯片在其密度路線圖上走得更遠(yuǎn)。相反，所預(yù)示的好處涉及電源效率、速度和晶圓經(jīng)濟(jì)。如果你想要一些數(shù)字，三星指出，12納米DDR5集成電路與前一代相比，功耗降低了23%，晶圓生產(chǎn)力提高了20%。

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